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工研院攜手台積電 開發前瞻磁性記憶體技術
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https://news.cnyes.com/news/id/4892182
發布時間：
2022/06/15 13:14
記者署名：
鉅亨網記者林薏茹
原文內容：
工研院今 (15) 日宣布，與晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW)(TSM-US) 合作，開發前瞻的
自旋軌道扭矩磁性記憶體 (SOT-MRAM) 陣列晶片，未來可整合成先進製程嵌入式記憶體，
應用再人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域。
工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，MRAM 有媲美靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 的
寫入、讀取速度，兼具快閃記憶體非揮發性，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶
體與運算的新星。
張世杰指出，記憶體若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流越小，則代表效率越高。
工研院攜手台積電共同發表具備高寫入效率與低寫入電壓 SOT-MRAM 技術，達成 0.4 奈
秒高速寫入、7 兆次讀寫的高耐受度，比比利時微電子研究中心 (IMEC) 多 100 倍，還
有超過 10 年資料儲存能力。
另一方面，工研院也攜手國立陽明交通大學研發出工作溫度橫跨近 400 度的新興磁性記
憶體技術，優化自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRAM) 的多層膜與元件，具備提高寫入速度
、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等特色，可應用在量子電腦、航太領域等前瞻
應用與產業。
心得/評論：
DRAM沒FU糗了啦～
現在DDR3、DDR4中國搶單，DDR5降價
GG現在又要搞新型MRAM
光光下看55；牙科下看50
記憶體寒冬天天都隨外資喊