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全球NAND快閃資本支出達299億美元 2022年估成長8%
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發布時間：
2022/3/18
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2022 年NAND快閃資本支出預計將達到299億美元，創下新高。
隨著 NAND 供應商準備參加 200 層設備的競爭，支出也在增長。
IC Insights 對半導體行業的資本支出預測報告，預測今年(2022) NAND快閃資本支出將增長 8% 至 299 億美元，超過 2018 年 278 億美元的歷史最高記錄（圖 1）。快閃資本支出在 2017 年飆升，當時該行業向 3D NAND 轉型，此後每年都超過 200 億美元。2022 年，快閃資本支出預計將增至 299 億美元，因為大型供應商和小型供應商又將保持適度激進的支出水平。
NAND快閃資本支出299 億美元約佔 2022 年整個 IC 行業資本支出預測 1904 億美元的 16%，僅落後於晶圓代工部門，該部門預計將佔今年行業資本支出的 41%。
新的和最近升級的 NAND快閃工廠包括三星的 Pyeongtaek Lines 1 和 2（也用於 DRAM 和代工）；三星在中國西安的二期投資；鎧俠在日本岩手的 Fab 6 (Flash Ventures) 和 Fab K1；和美光在新加坡的第三家閃存工廠。此外，SK 海力士為其 M15 工廠的剩餘空間配備了 NAND 快閃。
在預測期內，隨著 NAND 閃存供應商準備從 2022 年底到 2023 年進入 200 層以上設備的競爭，將需要新的晶圓廠和新設備：
三星和美光可能是第一個開始量產的公司今年晚些時候的 200 層設備。兩家公司以及 SK 海力士目前都在量產 176 層 NAND。
三星位於中國西安的晶圓廠是（並將成為）領先 NAND 的關鍵製造地點，擁有兩個晶圓廠，每個晶圓廠全面投產後每月可生產 120,000 片晶圓。
隨著對企業存儲應用的日益關注，SK 海力士預計將在 2023 年遷移到 196 層。
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預估全球IC產業，支出最高的為晶圓代工，第二則為NAND快閃產業，三星、美光及SK Hynix或將擴廠/增加設備。