原文標題：
中國即使在尖端製程落後三至四代 可從關鍵第三代半導體拉長戰線作戰
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發布時間：
2022年1月24日
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原文內容：
多年來，中國一直在積極發展半導體產業，至今砸下數十億美元的巨額資金。但市場研究
機構IDC認為，受限於美國大力阻擾中國發展科技產業之下，中國在半導體在尖端製程上
至少落後3、4代，要實現自給自足的科技產業鏈還有很大一段距離。
另外，根據美國半導體產業協會（SIA）報告，未來幾年中國公司的全球晶片銷售額將呈
現快速成長走勢。SIA指出，如果中國的半導體發展繼續保持強勁走勢，到2024年中國半
導體產業的年營收將達到1160億美元，佔全球市場佔有率超果17.4%。相比之下，同年韓
國半導體的全球市場佔有率將保持在 20%，這意味著兩國在全球市場佔有率的差距將在未
來三年內縮小到3個百分點之內。
雖然在過去三年中，中國至少有六個新的晶片製造專案失敗收場。但是全球依舊不能小看
中國發展半導體產業的決心，其正在從半導體設備、技術以及生態體系下著手，IDC仍預
期十年之後，中國可以逐步擠進半導體產業技術的領先部隊之中。
其實，中國過去已經表明，它的確擁有能力和資源建立一個從萌芽到主導產業的實力。例
如：在2000年代初期，中國在消費性電子產品的鋰離子電池方面非常依賴日本。當時日本
擁有高度資本密集型和自動化生產線。不過，中國政府決定大舉投資在鋰離子電池方面的
研究與製造，終於在電動車逐步爬升之際，佔據了全球電池供應的主導行列之中。
中國如今已經公佈了幾項推動半導體產業發展的舉措，除了晶圓代工之外，氮化鎵（GaN
）和碳化矽（SiC）成為擴建新的大規模晶圓廠活動的主角。根據SEMI研究，到2023年中
國可望成為全球功率和化合物半導體晶圓廠產能的領導者。
現今半導體都以矽為主，這是因為矽具有在低電壓、小電流條件下高效率工作的性質，讓
其成為邏輯元件或記憶體的關鍵元素，並用於個人電腦、智慧型手機的運算處理之用。
但是未來市場對於高電壓、大電流用途的需求將會不斷擴大，其包括：純電動車、手機基
地站、數據中心、可再生能源的蓄電和輸配電系統等。它們將使用功率半導體來改變電壓
、頻率，其中，GaN與SiC非常適合。
目前看起來，採用GaN與SiC的功率半導體還在起飛的初期，未來勢必有更大發展潛力。一
旦中國成為主導功率和化合物半導體的領導國，這可強化其長期發展尖端製程的動力，是
不得不注意的發展趨勢。
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中國致力發展國內半導體製造能力，隨然多個計畫失敗收場，但希望能透過GaN、SiC等興
起突破困境。