原文標題：
寬能隙半導體以三種方式改善電動車性能並加速其重要性
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原文連結：
https://bit.ly/3Cmi8eE
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發布時間：
2021年10月25日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容：
根據研究，寬能隙半導體(SiC或GaN)能夠透過三種方式改善電動車性能：
1.實踐更快的充電能力
ON Semiconductor公司已經推出了一種SiC充電模組，與矽相比，該模組可將傳導耗損降
低100倍。由於這一優勢結合了更快的切換速度，因此才能夠顯著提高充電效率。
至於GaN MOSFET和GaN FET（場效應電晶體），亦可用在3級充電系統，使得每分鐘充電可
提供高達20英哩的里程，這也是其非常適合應用在快速充電系統的原因。
2.可達到更佳的持續性與可靠性
隨著電動車逐漸走向主流市場，人們除了希望電動車具有較高的性能之外，可持續性通常
在他們的購買決策中發揮著關鍵角色。根據Bristol大學的研究人員以世界首創之量化半
導體內部電場方法，測量其使用的GaN以及其他非矽材料何時容易出現故障。
這種方法意味著使用寬能隙半導體之電動車和許多其他應用（從飛機到節能發電站）中的
電子設備變得更具效率。因為減少能源損失也最大限度地減少了社會對可用資源的依賴，
帶來了更多的可持續性。畢竟，根據預測到2030年功率電子設備將佔據80%的電力，因此
持續性與可靠性相當重要。
3.提供更長的行車距離
2021年的一項研究發現，電動車續航里程和隨時可以獲得充電的充電站是影響車主購買電
動車的兩個重要因素。根據調查，電動車中實際的電池續航里程約佔人們對其電動車總體
滿意度的20%而已。
這也是為什麼特斯拉的電動車銷售相對佳的關鍵因素，因為特斯拉電動車的續航里程通常
比起其他車廠高，且擁有方便的充電地點。當然這要歸功於特斯拉在其電動車中使用寬能
隙半導體的緣故。
德國Fraunhofer可靠性與微整合研究所IZM正在採取與特斯拉類似的方法。它專注於在功
率變壓器中使用寬能隙半導體中的SiC，並確定其能夠最好地保持冷卻，以降低功率耗損
。最終其通過這種方式所優化出來的動力傳動系統，使得電動車的續航里程擴大了6%。
事實證明，寬帶隙半導體在提高電動汽車性能方面至關重要。隨著各大車廠都將電動車當
成未來發展趨勢之下，寬能隙半導體的性能改善將指日可待，也減少人們對於化石燃料的
依賴，進一步推升綠色能源的未來。
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SiC和GaN半導體將有助於電動車市場的成長，可以提升充電效率以及續航里程，消除消費
者疑慮。