原文標題：
IBM發表2奈米晶圓代工技術 預計2024年投產
(請勿刪減原文標題)
原文連結：
https://bit.ly/3he17eV
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發布時間：
2021年5月7日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容：
2021年5月6日，IBM公佈了2奈米半導體設計和製程技術，宣稱與當今最先進的7 nm節點晶
片相比，預計將提高45％的性能及降低75％的能耗；對筆電、自駕車可能帶來更高的運算
力，其他受惠應用包括：資料中心、太空探索、人工智慧、5G、6G及量子運算。
IBM Research副總裁Mukesh Khare表示，2nm晶圓代工技術的投產目標時間是2024年末。
IBM Research重點介紹了以下關鍵技術推動因素：
底部電介質隔離–減少了將柵極長度擴展至12nm所需的洩漏電流。
第二代內部墊片乾燥製程可實現精確的澆口控制。
前端啟用了極紫外（EUV）微影技術，可產生從15nm到70nm的可變奈米片寬度。
新穎的Multi-Vt方案–為從低功耗行動手機到HPC伺服器晶片的應用程序，實現閾值電壓
控制。
IBM的2 nm晶片的潛在優勢可能包括：
手機電池壽命增加三倍，僅要求用戶每四天為設備充電一次。
減少數據中心的碳足跡約占全球能源使用量1%，也就是將其所有伺服器改以基於2 nm的處
理器，可能會大大減少能源使用量。
加速處理筆記型電腦的功能，從App應用程式到語言翻譯，可以更快地連結上網。
有助於自動駕駛汽車對物體檢測和反應時間更快。
IBM Research表示，自2015年宣布7nm節點以來，就一直在使用EUV，2nm技術的所有關鍵
層都將使用單曝光EUV，在減少週期時間和減少缺陷方面都將具有顯著的效益。如圖所示
，奈米節點的晶體管具有三層奈米片，每片的寬度約為40nm，高度約為5nm。間距為～
44nm，柵極長度為～12nm。
由於，晶片由2D平面轉向3D發展，所謂的「幾奈米」已失去真正意義，最多僅是一種「換
代」的概念罷了。IBM號稱其2 nm晶片有500億個電晶體，或許是個亮點且比較有意義的比
較基準點。IBM 的2奈米製程號稱在150mm2 (每平方公厘)面積中塞入500億個電晶體，平
均每平方公厘是3.3億個；而台積電和三星的7奈米製程大約是9,000 萬個電晶體左右，三
星 5LPE為1.3億個電晶體，而台積電的5奈米則有1.7億個電晶體。
半導體晶圓製造是高資金及高技術的高門檻行業，IBM在先進半導體製程技術研發，必須
找到願意買單的合作夥伴，否則很難支撐其後續研發投入。所以，IBM強調其合作夥伴生
態系統，包括新加入的研發合作夥伴英特爾以及三星（正在製造IBM即將推出的7nm
Power10晶片）。也就是，IBM六年前發布7nm製程技術，找到新買家英特爾以及三星，他
們首次的商業產品用於Power10中，預定於今年(2021)底前首次亮相。
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IBM發布最新2奈米技術，可以有效提升速度、將低耗能，目標2024年投入生產。