1.原文連結：
三星擬於2021年推新晶片製造技術GAA　提高晶片效能35%、能耗降低50%
http://bit.ly/2HjF9o9
2.原文內容：
三星電子(Samsung Electronics)將在2021年推出突破性的閘極全環(Gate-All-Around；
GAA)技術。GAA對最基本的電子元件進行根本性改造，能將晶片效能提高35%，同時將功耗
降低50%。
根據CNET報導，三星於5月14日在三星晶圓代工技術論壇(Samsung Foundry Forum)上表示
，GAA技術能重新塑造晶片核心電晶體，使其更小更快。2021年採用GAA技術的晶片問世時
，將成為三星與英特爾(Intel)和台積電競爭的利器。
顧問公司International Business Strategies執行長Handel Jones表示，三星在材料上
的研究成果正在取得成效。三星在GAA方面領先台積電約1年，英特爾約2~3年。
三星的進步將延長摩爾定律(Moore's Law)的適用期，至少在未來幾年內，消費者可期待
出現更好的繪圖處理技術、更智慧的人工智慧和其他運算方面的改進。
三星晶圓代工業務行銷副總裁Ryan Lee在活動上表示，GAA將標誌著三星代工業務進入新
時代。三星正在改進7奈米製程，但GAA將讓三星將電路縮小到3奈米。首批3奈米行動晶片
將於2020年進行測試，2021年量產。而效能更高的晶片，如GPU和資料中心的AI晶片的3奈
米版本應會在2022年量產。
Lee預測，GAA改進將實現2奈米製程。之後將是1奈米的未來技術。他確信將有低於1奈米
的新技術，雖無法確定是什麼樣的結構，但肯定會出現。
三星的5奈米晶片可望在2020年上市，現在已能開始製造原型。該公司已發布早期生產工
具，客戶也能開始設計及將有晶片調整為3奈米。
3.心得/評論：
三星為了追趕台積電，除了日前宣布5奈米製程研發完成後，並且逐漸推進到4奈米、3奈
米製程，更集中火力於GAA等技術開發，而GAA被視為接班FinFET的次世代技術，業界多認
為14奈米~5奈米將採用FinFET，4奈米之後將開始應用GAA技術。