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英特爾將擴產 先進快閃記憶體
2015-10-21 15:10:51 聯合晚報 記者徐睦鈞／台北報導
據外電報導指出，全球半導體龍頭英特爾宣布將擴大NAND Flash快閃記憶體產能，預計砸下
55億美元資金，把位在中國大連的12吋晶圓廠，改造成最頂尖的記憶體晶片廠，預計2016年
下半年開始生產最先進製程的NAND Flash。
英特爾大連12吋晶圓廠自2010年開始營運，主要生產英特爾所需的晶片組，此次決定將生產
線改頭換面，將在2016下半年投產3D NAND。英特爾預估前3～5年計畫投資35億美元，之後還
可能再追加至55億美元。
否認與美光的合作生變
英特爾過去幾年雖然投入NAND Flash市場，生產伺服器用固態硬碟（SSD），但NAND Flash晶
圓生產主要是由英特爾及美光合資的IM Flash代工。此次英特爾轉向決定自己生產NAND
Flash，也引發外界認為其與美光的合作關係是否生變。為破除外界疑慮，英特爾非揮發記憶
體部門副總Rob Crooke表示，英特爾與美光的合作關係穩定，只是英特爾需要額外的貨源服
務全球客戶。至於美光也考慮未來向英特爾大連廠拿貨。
由於中國內需市場胃納量龐大，近期全球主要半導體廠都積極布局中國的記憶體市場，在伺
服器以及智慧型手機的出貨需求持續攀升下，研究機構DRAMeXchange預估，2015年中國內需
市場在DRAM與NAND的總消化量換算產值高達120億與66.7億美元，分別占全球產值的21.6%與
29.1%。
固態硬碟快閃成長強勁
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，從DRAM需求來觀察，近年來中國品牌不論在個人電腦或
是智慧型手機領域出貨量不斷增長。聯想在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間
，並穩居中國市占冠軍，代表中國品牌廠自有採購實力逐年增強。
她表示，NAND Flash市場隨著15/16奈米成為現階段的主流製程，以及3D-NAND Flash進度加
速的情況下，以固態硬碟為首的相關NAND Flash終端應用成長力道更為強勁。除了智慧型手
機的eMMC閃存容量持續拉升外，固態硬碟在筆記型電腦的滲透率也快速攀揚。
中國NAND Flash需求撩人
中國成為各家智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦業者的重點市場，特別是蘋果近兩年針對
中國零售鋪點與產品設計等著墨的力道也增加不少，而中國品牌的智慧型手機業者也隨著海
外布局的提升，在其產品規格甚至有凌駕國際品牌的趨勢，各項市場面的因素都讓中國市場
的NAND Flash消耗量快速提升。
3.心得/評論(必需填寫)：
英特爾加入市場，期待有更便宜SSD及記憶體產品