我一直有個印象，就是高中時晶體結構讀得超混亂的
但也有可能是我記錯了，所以才有前一篇文
雖然看板上消息，離子晶體其實好像沒在考了?
算了，反正一些傳統名校和補充教材八成還是會教，所以還是來講講
－－－以下正文－－－
首先，配位數到底是什麼？
配位數在高中時，如果是金屬，指的是一顆原子旁邊相鄰原子數
如果是離子晶體，指的是以一顆陽離子為基準，圍繞在其周遭的陰離子數目
這邊其實還不至於混淆，不過到大學後，有再特別討論這塊的話，會寫陽：陰離子配位數
接下來就是重點了，關於結構的問題
沿用上一篇的圖https://i.imgur.com/6Hupa0q.jpg
以及推文
推 elvis533: 左邊是金屬，右邊是離子化合物，都是BCC
高中時我這邊唸得很混亂，只能靠死背
不過實際上，大學後碰到這塊，是有能有效處理的系統在的
在大學，左邊一樣是BCC沒有問題
右邊的話，其實不只是國內，我去查國外的一些教材，也是有分歧出現
毫無爭議的講法的話，右邊的晶體結構名稱是叫Cesium Chloride，絕對不是叫BCC
（不過在高中，作答時還是叫它BCC比較安全）
或用化學式簡稱為CsCl結構
在這裡，結構的名稱即是用同結構中具代表性的離子晶體來稱呼
例如氯化鈉，高中時稱面心立方結構，但這邊稱為Rock Salt結構
但如果是在牽涉到陰陽離子堆積(packing)的討論時，至少有兩種以上的說法
不過比較主流的說法是，在描述離子晶體時通常有以下規則
「先決定陰離子的架構，再來描述陽離子」
與高中相比，就比較不會混淆了
但這規則也秉持著化學這個科目的優良傳統，有規則即有例外
像是反螢石結構，因為它陰陽離子的排列等於與螢石結構互換，就不太適用於這規則
下面是補充
依據J.Lima-de-Faria定出的規則，化合物AX，在陰離子X半徑大於陽離子A的半徑下
X分別有三個上標來配合表示：c、h、sc分別指的是CCP、HCP、simple cubic結構
A也有三個上標可用來表示：t、o、cb分別指的是T-site、O-site、8-fold site
高中的大家應該對A的表示法比較陌生，但在這裡不做太多說明
總之，BCC和FCC各自有不同的T-site、O-site位置
而這是一套先決定了陰離子X堆積的結構後
再來決定陽離子A會堆積填充在結構中的哪種位置的系統
(注意，陽離子A不一定會把該結構中的該種位置全部填充完)
以CsCl為例，即A(cb)X(sc)結構
在Cl(-)以simple cubic堆積的架構下，Cs(+)會填充在8-fold site（100%填充）
註:括號中內容為上標
而Rock Salt，即A(o)X(c)結構
在Cl(-)以CCP，即FCC堆積的架構下，Na(+)會填充在O-site（100%填充）
最後舉一個沒有完全填充的例子：
Zinc Blend，即A(t)X(c)結構 （β-ZnS）
在S(2-)以CCP，即FCC堆積的架構下，Zn(2+)會填充在T-site（50%填充）