KIPO：3D記憶體專利申請數量每年超過300件
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http://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Figures/2019/pclass/pclass_15681a_20190611.png
由於中美貿易戰導致半導體價格下跌以及半導體行業的不確定性增加，3D記憶體作為未來
技術逐漸受到關注。在此同時，相關專利申請數量也呈現急劇上升的趨勢。
根據南韓知識產權局(KIPO)於2019年6月6日發布，2013年之前與3D記憶體相關的專利申請
數量每年僅有150個，但從2014年開始迅速增加，每年提交的申請量超過300個。
從過去五年3D NAND的專利申請，南韓國內公司佔申請總量的78.6%，海外公司佔21.4%。
這是因為三星和SK海力士在相關技術的開發上投入了大量資金，以便與記憶體半導體領域
的二線公司保持一定的技術差距。
高寬頻記憶體是由矽通孔(TSV：through silicon via)互連，再堆疊成若干層DRAM所製成
的多層記憶體半導體。它已成為下一代半導體開發的技術，因為它具有低功耗和高速數據
處理能力，並且容易於與GPU等系統半導體連接。三星和SK海力士佔高寬頻記憶體應用申
請專利的81.4%，而海外公司主要包括台積電、英特爾和美光。
3D記憶體技術是一種半導體製造方法，透過堆疊半導體元件來將每單位面積的儲存容量做
到最大化。非揮發性記憶體領域中的3D NAND快閃記憶體和易揮發性記憶體領域中的高寬
頻記憶體是由3D記憶體技術建立的代表性半導體。這種3D NAND Flash記憶體模組，主要
被廣泛應用於人工智慧、虛擬現實，及需要大數據存儲領域。
3D NAND閃存記憶半導體，目前，已可大規模量產96層3D NAND快閃記憶體。