※ 引述《hn9480412 (ilinker)》之銘言：
: 指向糟糕的記憶體；而 ECC 可以防止 Rowhammer 錯誤，Rowhammer 問題存在已久，但
: 硬體製造商依舊強調 Rowhammer 是攻擊造成，而非偷工減料。
: Torvald 補充，現在要找到 ECC 記憶體十分困難，且價格昂貴，這歸咎於英特爾錯誤的
: 策略，強調消費者不需要 ECC；但由於 AMD，這個情況開始改善，因 AMD 雖然沒有官方
: 正式支援 ECC，但卻容許市場修復這些問題。
所以這個Rowhammer到底是什麼東西:
簡單說就是因為製程演進
記憶體單元越來越接近
導致讀取可以有機會干擾隔壁行的單元
造成位元翻轉
中文參考:
https://reurl.cc/xgZWDE
或參考中英文wiki
那Linus念茲在茲的ECC到底能不能預防這件事情?
理論上可以
但有人搞出了可以繞過ECC的方法
(yoyodiy? 嚇尿我這個小小lab助理
所以變成ECC只能緩解
那到底怎麼預防?
7倍的DRAM刷新頻率應該可以
但太耗電了
性能也會損失
這樣大家又要說安全性更新結果性能下降
而且是DRAM的包
所以Intel和AMD都一樣