有『業內』的版友說我根本不懂這些nand flash、dram互斥不互斥問題，甚至要我進業內
再說，
說真的，就算都業內的還是會分國內國外，而這國內的廠跟國外的廠，上下游定位也不同
。
我言盡於此，還要追究對錯的『業內版友』可以自己去找人家三星、美光、海力士的生產
資料，反正內部公司資料比外界清楚，主管職拿到的資料會更多，我就不再提了。
這麼有爭議，那我這篇只提dram，不提其它。
※ 引述《Ekmund (是一隻小叔)》之銘言：
: 原標題：
: 三星 美光 1x 奈米製程 DRAM 接連出狀況，市場供貨吃緊仍沒改善
: 內文：
: 自 2016 年中開始，DRAM 記憶體供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要
多
: 加一個變數。那就是 DRAM 記憶體的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續召回部
分
: 序號的 18 奈米製程的記憶體模組，並且再重新出貨給客戶之後，仍然發生有瑕疵的狀
況
: 。而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬台的不良率) 有大幅提
升
: 的狀況。再加上，不僅是三星出現這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米製程 PC
: DRAM 記憶體模組都有類似的情形發生，如此也為 2017 年 DRAM 市場的供貨狀況與價
格
: 變化再投下不確定因素。
: 根據科技新報從供應鏈所掌握的消息，市場原本預計，在進入 2017 年第 2 季之後，
因
: 為有三星 18 奈米的 PC DRAM 記憶體模組與美光 17 奈米的 PC DRAM 記憶體模組相繼
出
: 貨，供貨吃緊的狀況應該可以得到緩解。不料，三星繼上次召回有瑕疵的 18 奈米製程
的
: PC DRAM 記憶體模組之後，近期再次出貨的情況仍舊沒有改善，還因而造成 PC大廠在
: DPPM ( 每百萬台的不良率) 有大幅提升的狀況。而除了三星之外，美光的 17 奈米製
程
: PC DRAM 記憶體模組也碰上相類似的情況。甚至以目前出貨給客戶的樣本來看，良率
還
: 低於 50% 以下。
: 據了解，由於美光原本答應在 2017 年第 2 季給客戶的 PC DRAM 記憶體模組中，會包
含
: 部分的 17 奈米製程產品。如今，在 17 奈米製程的 PC DRAM 記憶體模組良率有問題
的
: 情況下，美光又無法再回頭提供 20 奈米製程的產品給客戶，這也使得美光陷入兩難的
狀
: 態。
: 美光在 PC DRAM 記憶體模組上分為兩個系列，Rexchip 系列的產品，目前製程已經由
: 25 奈米製程推進到17奈米，而 Inotera 系列則仍舊停留在 20 奈米的製程上。而目
前
: 美光的 Rexchip 系列 17 奈米製程產品，在設計與製程上都與前一代的 25 奈米製程
產
: 品有很大的差異。因此，良率不高一直是在美光預期中的結果。只是，美光預估，一旦
: Rexchip 系列 17 奈米製程產品可以達到 50% 以上的良率，則從晶圓切下來的裸晶晶
粒
: 數量就已經能夠達到平衡成本的需求。因此，當時美光才會堅持生產 17 奈米製程產品
。
: 不料，如今連 50% 的良率都不容易達到。
: 而美光為了解決這樣的問題，則預計在 Rexchip 系列 17 奈米製程產品再重新設計一
版
: 新的產品。而此版本的產品，原本預計在 2017 年第 4 季底才會出貨，而美光則是將
時
: 程提早於第 3 季底。不過，即便如此，2017 年自第 2 季開始陸續兩季的 PC DRAM 記
憶
: 體模組供貨吃緊的情況仍將難以改善，價格也將持續的不斷攀升。
: 供應鏈知情人士指出，近期不論是三星或美光在 PC DRAM 記憶體模組發生的狀況，除
了
: 顯示出市場持續供貨吃緊的情況之外，也表示 DRAM 製程在進化至 20 奈米以下之際，
連
: 過去製程轉換都一直非常順暢的三星，也同樣會出現問題的情況下，顯見製程轉換真有
其
: 難度。至於，目前 PC DRAM 記憶體模組三大廠中，僅有 SK 海力士還沒有轉換製程至
: 20 奈米以下的製程。雖然，看似在時程上較競爭對手落後，但實際來說卻是現階段市
場
: 上最獲利的公司。
: 至於，就當前 DRAM 記憶體的價格變化，因為近期有價格下滑的情況，也開始引起市場
人
: 士的關注，擔心是否為 DRAM 變化的開始。市場人士表示，在市場供貨吃緊的情況下，
: DRAM 價格未來一到兩季仍呈現上揚的局面。而近期會出現下滑的情況，主要是在現貨
價
: 的部分，因為過去的一番漲幅，使得現貨價已經超越合約價，近期勢必有所調漲整之外
，
: 因為 DDR3 的供應隨著系統轉換到 DDR4 的規格上，使得 DDR3 的價格有出現下滑的情
況
: 。不過，絕大多數的 DDR4 價格依舊不斷看漲。
http://goo.gl/SuKuUh
IC Insights指出，今年DRAM位元出貨量實際比去年少，NAND Flash出貨量也僅小幅成長2
%，DRAM和NAND Flash價格自去年下半年起漲，截至今年第2季止，DRAM售價每季平均上漲
16.8%，NAND Flash售價每季則上漲11.6%；預今年DRAM全年漲幅可達64%，NAND Flash全
年漲幅也達33%。在產品售價勁揚下，今年DRAM與NAND Flash產值可望同步大幅攀高。
集邦則強調，今年DRAM需求端，尤其是智慧型手機領域，需求並沒有特別強勁，但供貨吃
緊主要是DRAM產業持續製程轉進不易，造成的供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下；短期
內因未見新增產能的前提下，預計DRAM供貨吃緊狀態將延續至明年。
如果有人要嘴集邦不專業的，那我也沒轍。
這篇資料版友也可以看，
http://goo.gl/mz45RM
DRAM資本支出主要用於先進製程轉換及維持原有月產能，加上進入3D NAND時代，NAND及D
RAM產能難以互相轉換，預估DRAM今年位元年成長率20%~25%，NAND則高於45%。
說單純是數據中心需求大所以漲了也全然不對，這篇有講原因版友可以自行點開當作補充
：
https://goo.gl/bqaKzw
三家只有一家要擴廠，為什麼？
因為要提升良率。
這是良率報表，可以看出端倪：
更正，這是asp報表，下面我再補充
https://i.imgur.com/iBwwqN2.jpg
為什麼兩件產品的ASP都往下掉，卻在市場上反而喊漲？
我認為是有需求量因素在，以及良率的因素在，實際上3d namd良率較低反而因為擴廠，
維持了一定的生產量.....
當然，上面是推論的，
理性而言，因為擴廠而產能上升，nand flash的asp下降。
（我言盡於此，若版友還要爭的還是請海涵）
簡單說，保守估計Dram會漲到明年，在新的廠商量產前大概都會這樣，各版友可自行斟酌
購買時機。
題外話：
nand flash跟dram這兩個是同級產品，我真的再也懶得爭裡面有沒有互斥的關係了，來這
邊也不是來爭論誰對的，拿自己認知上的一面之詞爭對錯是不好的，既然有版友認為要分
開看，那我就不再多做解釋，也給彼此一個空間，只要是正確的，答案隨著時間自然會出
來。