週二的精尖製造日活動，Intel大談特談擁有超微縮FinFET的10nm是如何先進
領先友商3年，然而昨天（週三），Digitimes從筆記型OEM廠商那裡獲悉
Intel突然將Cannon Lake處理器延期到2018年末。
對此Intel中國區總裁楊旭接受采訪時強調
“ Intel 10nm在今年第四季就可以實現投產。”他同時指出
“我們現在已經有技術驗證7nm到5nm都沒有問題。而且我們在通過前瞻研究推進5nm以後
的
譬如3nm、1nm，這些當然就需要很多別的新的技術，Intel一直在探索。 ”
不過資料顯示，從物理學的角度，5nm以及之後需要解決絕緣體的問題
目前的14nm/10nm使用的是氮碳化矽硼(SiBCN)，7nm使用的是氮碳氧化矽(SiOCN)
但用於5nm的終極絕緣體氣隙(air gap)連IBM也沒搞定
當然這只是一方面，EUV的光源功率、III-V材料等也都個個棘手
來源
http://news.mydrivers.com/1/549/549266.htm
XF編譯
http://www.xfastest.com/thread-200599-1-1.html
不要緊張 Intel 要去把地下室的外星人陸續叫起來
Roadmap 新版拿出來秀一下