SK hynix 展出 GDDR6 記憶體, 效能翻倍
昨天 GTC 大會上 SK hynix 展出了新一代的 GDDR6 記憶體以及晶圓，首批的 GDDR6 將
會採用20nm製程，單顆粒8Gb（1GB），速度上要比美光的 GDDR6、GDDR5X 還要快，達到
了16Gbps。不過量產就要等到2018年初了，屆時很可能 NVIDIA Volta 架構顯卡會用上。
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SK hynix GDDR6 記憶體頻率較 GDDR5 翻了一倍至16Gbps，因此帶寬也增加了一倍，工作
電壓也由1.55V標準電壓降低到1.35V，功耗也能下降個10%。384 bit 的記憶體位寬以及
最高786GB/s帶寬，全面超越 GDDR5 和 GDDR5X。SK hynix GDDR6 的規格要比美光、三星
公佈的產品更高一些，但後兩者開發進度更快，相應量產時間會早於 SK hynix。
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在兩者對比中，SK hynix 還說明 GDDR6 將會有16Gb顆粒。
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現場展出的 GDDR6 顯卡顆粒，型號為 H56C8H24MJR S2C 715A。
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SK hynix 首次展出 GDDR6 晶圓
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雖然 SK hynix 表示2018年初能量產初GDDR6，但按照以往經常修改產品規劃書，能不能
按時出貨都是個問題。NVIDIA 在記憶體選擇上走著與 AMD 使用高帶寬的HBM截然不同的
道路，在 GTX 1080 Ti、GTX 1080、Titan Xp 上使用的高頻率 GDDR5X，依靠超高的頻率
挽回帶寬上的劣勢，而 GDDR6 頻率更上一層樓，HBM2 超高帶寬優勢也就蕩然無存了，加
之 HBM2 成本居高不下，顯卡上全面應用難度太大，估計依然會保持只使用在最高端產品
上。
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HBM2還沒站穩腳步就要被GDDR6幹掉了嗎