攜手解決記憶體頻寬問題，AMD 與 SK Hynix 宣布共同發展 HBM 記憶體堆疊技術
vr-zone by: Tony.Chiu
隨著結盟開發帶來更快進入商業化應用的可能性，3DIC、TSV 將會
是未來克服效能瓶頸相當重要的技術。
3DIC、TSV（Through-Silicon Via）等聽起來相當艱澀的製程技術
，現在有機會更快進入我們的消費級產品之中。主要是因為 AMD 與 SK
Hynix 日前已經宣布正式結盟合作，對 HBM Memory Stack 高頻寬記
憶體堆疊技術進行開發。
目前晶片堆疊技術在 FPGA 或是影像感應器上已經有相當的應用，
可惜在主流電腦市場上還是有待開發。
隨著頻寬、更高度的集成化的需要，HBM（High Bandwidth Memory
）以及 3D STACKED 這類堆疊技術將可以大大解決這些問題，目前這些
技術在記憶體標準制定組織 JEDEC 也即將進入完備的階段。
AMD 與 SK HYNIX 未來將會針對 HBM 以及 3D STACKED 技術合作
；HBM 適合用在 GPU 或是網路晶片上，而 3D STACKED MEMORY 適合在
主記憶體的使用。兩家廠商表示，HBM 預計將首見於 GPU 應用，然後
才會進入網路技術與 HPC 高性能計算領域中，預計與標準的 DDR4 相
比，HBM 將會縮減 37 倍的大小與減少 30% 的功率消耗。
http://ppt.cc/498F
心得:
又一個完美簡報