[問題] 求救,關於半導體製程

作者: fricsay (Life sucks)   2003-06-18 00:39:21
對不起,不知道在這裡問適不適合,
不過真的滿急的,我也不是本科,只好來求救...
製程中有一部份是微影技術,
其中有利用"相移式光罩(phase shift mask)"來提升原始圖案轉印在晶圓上的解析度,
其中有一部份我看不太懂,
"有關於當罩幕上的原始圖案間距/線寬比在3.0-6.5之間時,
外輔助圖案和內輔助圖案的配置方式。
習知技藝中當原始圖案間距/線寬比大於6.5時,
會在每一個獨立線條外側配置輔助圖案,
使其能獲得充分的製程窗口(process window),
一個充分的製程窗口能確保投影的影像線條與原圖形線條一致。"
"當原始圖案間距/線寬比小於3.0時,則僅在最外側線條配置輔助圖案,
在密度甚高的線條間並不配置輔助圖案,
因為若在密度甚高的線條間配置輔助圖案的話,
很容易就會產生sidelobe的問題或是增加罩幕誤差因子。"
想請問各位,process window、sidelobe是什麼意思...
還有配置所謂的輔助圖案是利用什麼原理減少上述的問題?
非常感謝解答

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