借助三星7nm製程，ARM架構處理器運作時脈將可突破3GHz
2018-07-09 07:33楊又肇
三星稍早宣布，將與ARM進一步合作7nm FinFET LLP，以及5nm
FinFET LPE製程技術，其中7nm FinFET LLP製程技術將會在今年下半
年試產，預期將在2019年進入量產階段，而ARM方面將與三星合作
Artisan POP技術授權，同時也將包含ARM旗下DynamIQ技術授權。
而藉由製程技術縮減，三星預期將可讓ARM架構處理器運作時脈可突
破3GHz，意味ARM架構處理器運作效能將能更具體與Intel為首的x86
架構處理器比擬，同時也呼應先前ARM、Qualcomm均強調未來處理器
產品將能進一步與傳統PC抗衡的說法。
除了今年將進入7nm製程發展，並且準備進入5nm製程發展之餘，三星
也預告接下來的目標將會放在3nm製程技術，意味三星旗下處理器產
品將準備進入更小製程發展之外，包含Qualcomm等廠商所製造的處理
器也將進入更小製程，並且將使Intel面臨更大競爭壓力。
至於藉由更小製程讓處理器運作時脈提昇至3GHz以上，意味三星接下
來也準備藉由ARM架構處理器進軍筆電市場發展。
https://udn.com/news/story/7087/3241936
高時脈衝起來！隨著製程不斷進步，移動裝置的時脈也可以逐漸拉高吧
最新的S845/E9810就已經可以跑到2.8/2.9GHz的時脈囉
之後七奈米要更衝刺的話，行動裝置的效能可望突破新境界？