據了解，目前半導體制程的主流光源是氬氟雷射，波長為 193 納米，當晶體管尺度已微
縮到幾十納米時，就像用一支粗毛筆寫蠅頭小字一般，生產起來有點力不從心。而極紫外
光的波長僅有 13.5 納米，這也使得 EUV光刻機成為了攻克7nm、5nm甚至更高制程工藝的
關鍵。
而EUV光刻機除了售價高昂之外，其耗電也是非常之驚人！
“極紫外光物理特性與一般常見的紫外光差異極大。這種光非常容易被吸收，連空氣都不
透光，所以整個生產環境必須抽成真空；同時，也無法以玻璃透鏡折射，必須以硅與鉬製
成的特殊鍍膜反射鏡，來修正光的前進方向，而且每一次反射仍會損失 3 成能量，但一
台 EUV 機台得經過十幾面反射鏡，將光從光源一路導到晶圓，最後大概只能剩下不到
2% 的光線。”這也是 EUV 機台如此耗電的主因之一。
另外需要指出的是，如此大的耗電量也不可避免的帶來了很大的發熱量，因此需要部署相
應的冷卻系統，而這也將非常的耗電。
http://cj.sina.com.cn/article/detail/5772303575/363681?column=tech&ch=5
‧一套EUV光刻系統包含10萬個零件、3千條電線、4萬個螺栓與2公里長的軟管
‧一套EUV光刻系統重約18萬公斤
‧一套EUV光刻系統需藉由40個貨櫃、20台卡車以及3架貨機才能完成運送
‧一套EUV光刻系統包含一個重達7,600公斤的大型真空室 (vacuum chamber)
http://www.semi.org.cn/magazine/article.asp?id=2201
所以在台灣要有光刻機 應該是非常難的事吧~
電力吃緊 然後台灣又特別熱 不像韓國一樣 天氣冷好散熱
之前台媒報導台GG一口氣買了五台 不知是真是假??
一天三萬度一年就是一千萬度 五台就是五千萬度