高通的公關稿全文
https://goo.gl/jx3SJD
Get small, go big: Meet the next-gen Snapdragon 835
Samsung’s new 10nm FinFET process, for instance, allows up to a 30 percent
increase in area efficiency with a 27 percent improvement in performance or
up to 40 percent less power consumption compared to the previous version
完整的說法是與先前技術(應該是指14nm Finfet)相比
面積使用效率可以提升30% 效能提升27% 能耗降低40%
但是架構本身的細節就沒有多談了，可能要等到更完整的發表會?
不過QC4.0的部分就比較有數字上的兇猛
號稱充電五分鐘使用五小時
http://i.imgur.com/9jHWkvb.jpg
0~50%只需15分鐘
http://i.imgur.com/X1XNtIh.jpg
目前沒有公布很詳盡的規格
但我覺得很有可能會跟最近Google的動作會打起架來XD
不知道後面Google會不會再"多說"甚麼XD
http://www.ithome.com/html/digi/273602.htm
高通剛剛公佈了下一代驍龍處理器——驍龍835，高通驍龍835芯片將在2017年初發布，因
此支持最新的Quick Charge 4.0快速充電技術，基於三星10nm製造工藝打造。高通驍龍
835處理器將取代驍龍821/820，成為高通公司頂級移動處理器。
不過目前高通並未公佈驍龍835的更多信息，但表示10nm工藝將會帶來更好的性能領先，
提升功率效率，作為對比高通驍龍820基於14nm製造工藝打造。
IT之家援引消息，三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，在高
通驍龍835上具體數值還需要後續才能知曉。但高通驍龍835芯片面積將變得更小是毋庸置
疑的。
三星Galaxy S8有望成為首款搭載高通驍龍835處理器的智能手機設備，LG和HTC也將推出
搭載驍龍835的智能手機。