Re: [閒聊] 電池技術是時候該革命了吧

作者: butterfly3 (htc)   2015-09-23 10:07:56
電池部分:
其實電池技術一直有在發展, 但電池廠的商業模式和半導體的專業分工模式相去太遠
你不能期待它像處理器那樣運作:
Design house一季丟出數顆晶片, foundry跟著摩爾定律部段提升製程, 大家爽爽賺
(但現在爽賺的公司似乎只剩下Sieg G翁)
說穿了, 一支手機的成本中處理器佔了絕大多數, 要如何期待電池的技術進展有多快?
更別說手機市場已完全飽和, 利潤又被某一廠商捧去九成
所以...你知我知獨眼龍也知,
電池巨大市場和利潤要放在未來的自動車領域
化學/材料界已經夯很久的石墨烯(graphene)扮演關"超級電容"鍵角色
高電荷密度、高接觸面積、單原子層、透光率高又可以大量生產
由石墨烯為電池電極的超級電容可以實現極快速大量充電
ex: 數秒充完一顆手機電池
不過和目前常見的電池相比也是有些缺點, 像是電荷儲存時間短、造價高、不夠穩定
國際上石墨烯的專利卡位大戰早已開打, 應用端的專利已經被美、韓、中國盤據
台灣目前有著墨在這領域的公司有達興、TCNT、安炬、奈創、等等
更多技術部分: http://www.graphene-info.com/graphene-supercapacitors
也有人提到關於記憶體部分:
今年SEMICON中, "記憶體革命"已經是大家公認的現在進行式了
DRAM, NAND目前主流, RRAM和MRAM早已醞釀多時
隨著intel/micron發表3D XPOINT以及everspin將MRAM進化到ST-MRAM且交給格羅方德量產
可以說百家爭鳴!
MRAM優點是不需耗電即可進行比DRAM更快的讀寫, 但可能會受到周圍磁場變化影響
而且容量只到16MB
ST-MRAM可提升至GB等級, 穩定性表現更好, 製程也搭上了40nm
今年intel/micron發表的3D XPOINT則是號稱有可以同時取代NAND和DRAM
更大的容量密度、更快讀寫速度(都提升百倍以上), 必且即將量產
作者: citywanderer (秋意漸濃 小心禿頭)   2015-09-23 11:35:00
我要求很低 只希望充一次電 正常使用下 能撐一個禮拜 只是好像遙遙無期 XD

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