有人喝過這個嗎
BOE ( Buffer Oxide Etching )
一般標準的SiO2的蝕刻液是用6倍的氟化銨 ( NH4F) 與1倍的氫氟酸 ( HF )混合而成的緩
衝氧化蝕刻劑 Buffer Oxide Etching ( BOE )
BOE室溫下的蝕刻速率範圍為 1000~2500 Å/min，取決於SiO2的緊密度。作為非晶體層，
SiO2可以形成緊湊的結構（如果在氧氣中熱生長）或不緻密的結構（如果通過 CVD 生長
），針對不同的緊密度BOE對其有不同的蝕刻速率。
應用方面，BOE與超純水用7:1 的比例稀釋，這樣可以更好地控制蝕刻速率，在35°C下稀
釋的 BOE對熱氧法生成的SiO2蝕刻速率約為800 Å/min。
在表面清潔和去污的製程中，只需要非常輕微的蝕刻，可以使用 1 : 50 稀釋的 HF溶劑
，其蝕刻速度約為 70 Å/min。