https://technews.tw/2024/12/19/russia-plans-euv-chipmaking-tools/
綜合外媒 CNews、Tom’s Hardware 報導，俄羅斯已公布自主開發曝光機的路線圖，目標是
打造比 ASML 系統更經濟且更複雜的設備。這些曝光機將採用波長為 11.2 奈米的雷射光源
，而非 ASML 使用的標準 13.5 奈米波長。因此，新技術無法與現有 EUV 基礎設施相容，
需要俄羅斯自行開發配套的曝光生態系統，可能需要數年甚至十年以上時間。
該國半導體計畫由俄羅斯科學院微觀結構物理研究所的 Nikolay Chkhalo 領導，目的是製
造性能具競爭力且具成本優勢的 EUV 曝光機，以對抗 ASML 的設備。其中，俄國將採用 11
.2 奈米的氙（xenon）基雷射光源，取代 ASML 的錫（tin）基系統。Chkhalo 表示，11.2
奈米的波長能提升解析度約 20%，不僅簡化設計並降低光學元件的成本，還能呈現更精細的
細節。此外，該設計可減少光學元件的污染，延長收集器和保護膜等關鍵零件的壽命。
俄羅斯曝光機還可使用矽基光阻劑，預期在較短波長下將具備更出色的性能表現。儘管該曝
光機產量僅為 ASML 設備 37%，主要因為其光源功率僅 3.6 千瓦，但效能足以應付小規模
晶片生產需求。
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