砷化鎵半導體照明技術

作者: cybergirl (何夜無月)   2003-04-22 23:27:13
光電所今發表砷化鎵半導體照明技術
(中央社記者康世人台北十八日電)
工研院光電所今天宣佈在砷化鎵(GaN)半導體照明技術上有突破性的技術成果,
研發完成新型LED(發光二極體)封裝技術,提升LED發光效率,
並完成LED燈具的示範展示推廣。
目前,已有11家與光電所的合作廠商,
打算以上、中、下游產業整合申請業界科專計畫,
推動新世代照明技術。
工研院光電所所長劉容生表示,2002年全世界 LED產值為32.8億美元,
台灣的產值為8.67億美元,佔全世界的27%,僅次於日本為世界第二,
台灣LED產業今年仍繼續維持高度成長,未來如何再創 LED產業新商機,
是台灣廠商急於努力的目標。
劉容生指出,被譽為21世紀的環保新光源「白光LED」,
已經不只是鹵素燈、日光燈的替代品,而是新世代的光源技術,
商品化將是台灣廠商的好機會,
尤其可以利用台灣 LED產值位居世界第二的規模,
以及優勢的半導體製成,透過成本控制、良率、產品應用創新等方式,
再創台灣第3個3兆產業。
負責砷化鎵半導體照明技術開發的奈米光電半導體中心副主任許榮宗表示,
LED是由半導體技術製成的光源,省電而不發熱,
和傳統燈泡相比,不但體小、堅固耐震,操作電壓及溫度低,
壽命可達燈泡的10倍以上,目前市面上LED商品化的發光效率,
可達15到25流明/瓦,比傳統燈泡高50至100%,
先進國家預測, LED未來將取代傳統燈泡,
成為廉價、省電又環保的新光源。
許榮宗說,光電所致力於 LED發光效率的提升,
目前已經有重大技術突破成果,
開發完成砷化鎵的覆晶(將元件晶粒表面朝下封裝的技術)用晶粒,
配合覆晶封裝需求,於LED晶粒中增加反射鏡配置,
可提高LED發光效率1.5倍至2倍。
同時,許榮宗指出,由於目前白光燈具應用仍以使用傳統燈泡
形封裝形成集束型(Cluster)方式製作燈板,
但因為支架型(lead frame)與印刷電路板的組合散熱較差,
燈板溫度升高,降低發光效率及影響燈具壽命,
因此光電所開發新燈板技術,一個燈組由 9個晶片組成,
每個晶片有獨立的光學設計,完成供燈具使用的瓦級LED模組,
有助提升LED發光效率,且還開發出崁燈及投射燈兩種燈具形式,
應用在輔助照明用 LED崁燈、LED投射燈及LED景觀燈,
平均電力可節省達 50%以上,壽命更長。
光電所這些技術目前已應用在光電所會議室內及室外,
還有社教館二樓大廳的照明燈、景觀燈,取代原有的鹵素燈,省電可達50%至85%。
光電所目前已逐漸將技術技轉給廠商,
去年並協助11家 LED廠商成立「次世代照明光源研發聯盟」,
未能更將申請業界科專計畫,積極發展LED照明產業。920418
[資料來源]Yahoo!奇摩新聞 中央社

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