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: 標題: [情報]IBM聯手Samsung做出了史上最強的7奈米晶片
: 時間: Fri Jul 10 14:06:32 2015
: IBM聯手Samsung做出了史上最強的7奈米晶片，台積電、Intel還在10奈米打轉
: janus 發表於 2015年7月10日 11:20
: 根據紐約時報報導，IBM研究實驗室宣佈全球首款7奈米製程的原型晶片已經製作完成。而反觀他們的對手，台積電今年年中才開始16奈米製程量產，而明年下半年則預計會開始10奈米製程量產，另外一家Intel也還在10奈米上面打轉，使得IBM的進度超越了對手，專家預估最快兩年後可以用在商業發展。
: IBM研究實驗室是與他們的合作夥伴：三星、格羅方德（GlobalFoundries）和紐約州立大學納米理工學院。一起宣佈這項成果。根據 IBM半導體科技研究部的副總裁Mukesh Khare表示，這款晶片首次用一種叫做「矽鍺」（silicon germanium，簡稱 SiGe）的材料，替代原有的純矽，並採用了極紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影技術。
: 不過，EUV微影技術雖然已經推出幾十年了，但由於光源不足的缺陷，至今仍無法提供製造晶片所需的良率與產能。去年在英特爾開發者論壇(IDF)上，英特爾院士Mark Bohr甚至表示，EUV「尚未準備就緒，其產能與可靠性都還未能到位。」
: 因此，這次IBM研究實驗室所宣佈的成就，也象徵了EUV技術可能已經突破了瓶頸，也將會對未來整個產業產生關鍵的影響。
: 相較於10奈米製程，使用7奈米製程後的面積將縮小近一半，但同時因為能容納更多的電晶體（200億+），效能也會提升50%，IBM將有機會製造出世界上最強大的晶片。不過，IBM並沒有提出7奈米付諸量產的時間表。
: 資料來源：NYT
SiGe這東西在45nm techmology的時候就已經引入為了做strain Si，
可是一只沒有應用在通道上，在14nm這個節點，
元件gate length微縮下去已經不是太大的重點，intel從32nm到現在的22nm，
i7處理器的效能進步的很有限，沒有像當年65進入45那樣的大躍進，
當時65進45用了high-k metal gate，還有strain Si，
元件在基本物理上得到很大的進步，可是10nm以下元件的mobility Si的
極限就是在那邊，結構再怎樣猛都還是頂到天花板，
SiGe的通道材料，IBM應該是在Si上epi一層Ge，這東西問題很多很多，
學術界一缸子的paper，大家都在cline元件多猛多強，
業界需要的是穩定性，效能成長有個10%就相當猛，
實際上就是在epi的介面dislocation相當嚴重，真正通道層的影響非常的大，
而且一個chip有10的8次方個電晶體，這看了就是笑笑，
這通常都是宣示技術用，代表我可以做得到，
也有可能是當年0.18um噱到一個凱子，想說故技重施可不可以唬到第二個，
10nm以下基本上應該還是兩三個solution在做抉擇，
Si稱霸了幾十年也夠了。
: http://www.techbang.com/posts/24637-ibm-announced-the-launch-of-historys-most-powerful-7-nano-chip-efficiency-than-todays-chips-4-times-times