Body effect: 在body施加比S極更低的電壓 空乏區往通道延伸
空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大
short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大
通道變短 使閥值電壓(Vt)變小
疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短
一個使Vt變高 一個使Vt變低
問一下差別在哪 希望高手解惑謝謝

一個是基板不是接地電位 一個是通道因為電壓變大空乏區擴增使電子通道長度變短阿看錯了 短通道是因為通道尺寸變小所以空乏區的佔比相較長通道大 所以會明顯影響Vt簡單來說Body effect跟通道尺寸無關 短通道效應在通道很小的時候才會比較明顯影響 詳細的還是去看書吧Neamen的書寫的算白話也有中譯版了

謝謝a大 我會再去看書 不過body effect會使空乏區變大應該也會影響通道長度才對 這點還是不懂

大概的講法是：閘極不只要先能建立空乏區，而且要能控制與它下方整個空乏區電荷量相等的電荷，通道然後才能夠建立，因此BE越嚴重，Vt值就越大。當汲極電壓夠大，汲極控制的空乏區就會深入閘極下方跟閘極爭搶MOS的控制。此時元件長度若太短，閘極電壓將無法完全控制MOS的關閉，而汲極空乏區夠大，甚至延伸至源極空乏區，還導致DIBL，此時無需閘極，橫向電場就足以讓汲極直接從源極吸引載子造成漏電流，這就相當於是Vt值下降。

謝謝L大 講法很合理