[考題] 電子學 FET電流鏡
作者: mattw166 (nmptr) 2016-10-15 16:03:55
像是紅色框框的情況，是要有什麼條件才會使得電流鏡的 Iref=Io
我在想在有無early effect的情況下的差別?
還是fet電流鏡的特性就會將Iref=Io?
請問有沒有人可以解答
作者: dragon048 (dragon) 2016-10-15 16:29:00
以印象回答你，如果確定電流鏡的FET完全匹配可以視為一樣的，它的大小變化主要是取取於雙方的K的比例如果為BJT的話因為有BETA效應故再算"純直流"題目時不能視為一樣個人推測兩顆MOS匹配情況下就算考慮額利效應還是會一樣因為匹倍的兩顆MOS特性取線將一致
作者: cc102938 (CC) 2016-10-15 17:01:00
題目的Q4 = Q3 (也就是 K值 Vt都相同) Io=Iref
作者: mattw166 (nmptr) 2016-10-15 19:22:00
我已經了解了!!!感謝D大和C大的解析!!!
作者: yainman (yainwoman) 2016-10-15 19:25:00
如果考慮early effect會不一樣（因為Vds不一樣），但是一般來說FET不考慮，而是考慮vt的效應！
作者: mattw166 (nmptr) 2016-10-15 19:40:00
還有的是，bjt電流鏡為什麼beta趨近於無窮大會使Ic=Ie?還有想問一下，像Y大講的，是在什麼情況下VDS才會想同，我知道因為參雜方式的關係，vt會相同這樣當p sub相同時vA會相同
作者: dragon048 (dragon) 2016-10-15 22:16:00
BETA趨近無窮大的話Ic=Ie請自行思考alpha跟beta的數學關係式
作者: cc102938 (CC) 2016-10-15 22:58:00
beta無窮大 alpha趨近於1